Didorong oleh aplikasi kritis, booming aplikasi semikonduktor dengan celah lebar

Ketika industri semikonduktor secara bertahap memasuki era Pasca-Moore,semikonduktor dengan celah pita lebarberada di panggung sejarah, yang dianggap sebagai area penting untuk "saling menyalip". Diharapkan pada tahun 2024, material semikonduktor celah pita lebar yang diwakili oleh SiC dan GaN akan terus diterapkan dalam skenario seperti komunikasi, kendaraan energi baru, kereta api berkecepatan tinggi, komunikasi satelit, ruang angkasa, dan skenario lainnya, dan akan digunakan. Pasar aplikasi berkembang pesat.

Pasar aplikasi maksimum untuk perangkat silikon karbida (SiC) ada pada kendaraan energi baru, dan diperkirakan akan membuka puluhan miliar pasar. Kinerja akhir dari basis silikon lebih baik daripada substrat silikon, yang dapat memenuhi persyaratan aplikasi dalam kondisi seperti suhu tinggi, tegangan tinggi, frekuensi tinggi, daya tinggi. Substrat silikon karbida saat ini telah digunakan dalam perangkat frekuensi radio (seperti 5G, pertahanan nasional, dll.) dan dan danpertahanan Nasional, dll.Perangkat listrik(seperti energi baru, dll). Dan tahun 2024 akan menjadi perluasan produksi SIC. Produsen IDM seperti Wolfspeed, BOSCH, ROHM, INFINEON, dan TOSHIBA telah mengumumkan telah mempercepat ekspansinya. Produksi SiC pada tahun 2024 diyakini akan meningkat setidaknya 3 kali lipat.

Elektronik Listrik Nitrida (GaN) telah diterapkan dalam skala di bidang pengisian cepat. Selanjutnya, perlu lebih meningkatkan tegangan kerja dan keandalan, terus mengembangkan kepadatan daya tinggi, frekuensi tinggi dan arah integrasi tinggi, dan memperluas bidang penerapannya. Secara khusus, penggunaanelektronik konsumen, aplikasi mobil, Pusat Data, DanindustriDankendaraan elektrikakan terus meningkat, yang akan mendorong pertumbuhan industri GaN lebih dari US$ 6 miliar.

Komersialisasi oksidasi (Ga₂O₃) semakin dekat terutama di bidangkendaraan elektrik, sistem jaringan listrik, luar angkasadan bidang lainnya. Dibandingkan dengan dua metode sebelumnya, pembuatan kristal tunggal Ga₂O₃ dapat diselesaikan dengan metode pertumbuhan peleburan yang mirip dengan kristal tunggal silikon, sehingga memiliki potensi pengurangan biaya yang besar. Pada saat yang sama, dalam beberapa tahun terakhir, dioda Schottky dan pipa kristal berbahan dasar oksida telah membuat kemajuan terobosan dalam hal desain dan proses struktural. Ada alasan untuk meyakini bahwa produk dioda SCHOTTKY batch pertama akan diluncurkan di pasar pada tahun 2024.